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 「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」(第14回）
(旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)

 

 主催

 

応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催

 共催、協賛

 

日本物理学会他12学協会

 開催期日

 

2009年1月23日(金)〜24日(土)

 開催場所

 

東レ総合研修センター

〒411-0032　静岡県三島市末広町21-9

Tel：055-980-0333

Fax：055-980-0350

URL：http://www.toray.co.jp/location/loc_004.html

 内容

 

半導体デバイスにおいて、ゲートスタックの高性能化は最も重要な研究課題の一つです。ゲート絶縁膜では、原子層レベルで膜厚や構造を制御した高品質な極薄酸窒化膜の開発や、トランジスタの高性能化と超低消費電力化を可能にする高誘電率ゲート絶縁膜の研究・開発が進められています。また歪シリコン基板やプロセス歪を利用した高移動度トランジスタや、メタルゲート電極の検討も活発に行なわれています。本研究会は、2004年まで9回にわたって開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会のスコープを広げて2005年から新たにスタートしたものであり、産･官･学の第一線の研究者が基礎から応用までを理論と実験の両面から議論し、本分野の発展に貢献することを目的としています。国内外からの招待講演者のほかに、一般の口頭発表とポスター発表を広く募集して開催します。さらに研究会前日には、ゲートスタック研究者のためのバリスティックトラジスタに関するショートコースを企画しています。奮ってご参加下さい。

　

セッショントピックスおよび招待講演者（敬称略）：

(1) 基調講演

・有門経敏（東京エレクトロン）

「半導体プロセス技術開発：装置メーカーの視点（仮題）」

・八重樫　利武（東芝）

「フラッシュメモリ技術の動向と課題」

 

(2) 高誘電率ゲート絶縁膜

・後藤正和（東芝）

「極微細なTaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に与えるTaCx組成の影響」

 

(3) 信頼性・ゆらぎ

・佐藤基之（Selete）

「Vth低減のためのDual High-k技術がBTI、 1/fノイズに与える影響（仮題）」

・西田彰男（MIRAI-Selete）

「MOSトランジスタの特性ばらつきの定量とその解析」

 

(4) 形成・評価・基礎物性

・梶原浩一（首都大）

「SiO2中の格子間O2分子PL測定」

 

(5) 高移動度化技術・新構造ゲートスタック

・土屋英昭（神戸大）

「高移動度チャネルMOSトランジスタの性能予測シミュレーション（仮題）」

・安田哲二（産総研）

「III-Vチャネル上への高品質MIS界面の形成（仮題）」

 

(6) メモリ技術

・遠藤哲郎（東北大）

「NAND型フラッシュメモリの現状と、今後の不揮発性半導体メモリの新展開」

・島　久（産総研）

「ＲＲＡＭ動作特性の電極材料依存性と電極／酸化物界面の化学結合状態の評価」

 参加費

 

協賛学協会員：11,000円、学生：3,000円、一般：15,000円

 

宿泊費（初日昼･夕食、2日目朝・昼食付）：13,500円、前日宿泊費(初日朝食付)：8,000円、宿泊は個室となります。（注意：前日宿泊に夕食は付きません。非宿泊者の昼食(両日共)の準備はありませんが、初日夕食会はご希望により参加いただけます。（但し料金要））

参加申込方法

 

定員：200名（ただし宿泊定員は150名。参加申込と同時に参加費をお振込み下さい。満員になり次第締切ります。）

 

申込手続および締切：

・    一般講演申込（口頭発表またはポスター発表）

締切：2008年10月31日(金)

申込先：http://home.hiroshima-u.ac.jp/oxide/

上記Web site の指示に従って、発表題目、発表者氏名（共著者名含む）および連絡先(住所、TEL、FAX、e-mail)を日本語・英語併記し、発表概要を和文1000文字以内または英文500ワード以内にまとめて、入力して下さい。また、口頭あるいはポスター発表のご希望には、必ずしも添えない場合があることを予めご承知おき下さい。

 

・    参加申込（上記Web siteにてお申込下さい。）

締切：2008年12月15日(月) 

(1)参加者名　(2)性別　(3)連絡先（住所、TEL、FAX、e-mail）(4)参加費種別（会員の方は会員番号）・金額　(5)参加費振込予定日 (6)　１月23日(金)宿泊希望の有無　(7)前日（1月22日(木)）宿泊希望の有無を明記してください。

費用は、参加費・前日泊も含むすべての宿泊費を同時にまとめて下記口座に参加者名でお振り込み下さい。

参加費等の振込先：三井住友銀行 本店営業部（本店も可） 普通預金9474715 (社)応用物理学会 薄膜・表面物理分科会

振込み完了後必ず、webから配信された受付番号を、応用物理学会　担当：伊丹文子（e-mail：divisions@#-NO-SPAM-#jsap.or.jp）まで送信してください（メールアドレスは「#-NO-SPAM-#」を削除してご利用ください）。なお、申込後の取り消しや不参加の場合、参加費等の払い戻しは致しません。また、請求書の発行は致しません。

予稿原稿締切：2008年12月15日（月）、4頁（A4）以内（図表およびアブストラクトを含む）、本文は日本語または英語、アブストラクトと図表およびその説明は英語として下さい。上記研究会Web site の指示に従って、pdfファイルで送信して下さい。尚、発表申し込み時に登録した発表題目や共著者名等を変更される場合は、必ずWeb siteの指示に従って、再入力をお願いいたします。

 連絡先

 

浦岡行治（奈良先端大）

Fax：0743-72-6071

E-mail：uraoka@#-NO-SPAM-#ms.naist.jp

（メールアドレスは「#-NO-SPAM-#」を削除してご利用ください）

 その他

 

発表言語は日本語または英語、発表用の図(OHP、ポスター)は英語