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応用電子物性分科会研究例会
グラフェンの形成・基礎物性とデバイス展開
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主催
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応用物理学会応用電子物性分科会
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共催、協賛
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開催期日
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2009年7月17日（金）13：00〜17：00
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開催場所
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機械振興会館6階66会議室
〒105-0011
東京都港区芝公園3-5-8
TEL: 03-3434-8216
URL: http://www.jspmi.or.jp/map.htm
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内容
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近年、理想的な2次元ナノカーボン材料であるグラフェンの研究・開発が活発に進められ、その研究領域は、初期の基礎的な物性探索からデバイスへの応用を視野にいれたプロセス開発へと急速に展開しています。本研究例会では、そのような動向を踏まえ、グラフェンの様々な形成法や物性研究からスピントロニクス、配線、チャネル材料への応用について紹介していただき、グラフェンという古くて新しい材料のデバイス応用の可能性を展望していきます。
http://annex.jsap.or.jp/support/division/ohden
演題：
(1)グラフェンの基礎物性とその理論−デバイス応用の観点から
13:10〜13:45 影島
博之（NTT物性基礎研）
(2)
単層グラフェンの化学的剥離形成と透明電極応用
13:45〜14:20
上野 啓司、菅沼 洸一、吉田 雅史（埼玉大院理工）
(3)
３C-SiC上エピタキシャルグラフェン形成とSi上デバイス応用
14:20〜14:55 末光 眞希（東北大）
- 休憩（15分）-
(4)
劈開法で得た単層・多層グラフェンの電子・スピン・クーパー対伝導
15:10〜15:45 神田 晶申、後藤 秀徳（筑波大数理物質）、塚越
一
仁（物材機構）
(5)
グラファイトからグラフェンへ
バンドオーバーラップ減少に伴う電子輸送特性の連続的変化
15:45〜16:20 長汐 晃輔，鳥海 明（東京大）
(6)
次世代エレクトロニクス応用に向けたナノチューブ・グラフェン配線技術
16:20〜16:55 二瓶 瑞久（富士通）
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参加費
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一般：4,000円、学生：1,000円
(テキスト代・消費税込み)
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参加申込方法
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当日受付
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連絡先
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小林 慶裕 （阪大） y-koba@#-NO-SPAM-#ap.eng.osaka-u.ac.jp
小出 康夫 （物材機構） koide.yasuo@#-NO-SPAM-#nims.go.jp
原 直紀 （富士通研）
hara.naoki@#-NO-SPAM-#jp.fujitsu.com
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その他
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