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第38回 薄膜・表面物理基礎講座（2009年）
「カーボン系材料の新展開 基礎と応用 〜カーボンナノチューブ、グラフェン、DLC、ダイヤモンド〜」
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主催
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応用物理学会薄膜・表面物理分科会
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共催、協賛
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日本物理学会 他17学協会
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開催期日
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2009年11月5日(木) 10:00 –17:00
6日(金) 10:00 –16:30
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開催場所
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早稲田大学西早稲田キャンパス 63号館2F03会議室
〒169-8555 東京都新宿区大久保3-4-1
http://www.mse.waseda.ac.jp/
地下鉄副都心線 西早稲田駅下車 キャンパスに直結
JR線、地下鉄東西線、西武新宿線 高田馬場駅
下車 徒歩12分
JR線 新大久保駅下車 徒歩10分
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内容
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炭素を構成要素とする物質は、近年のグラフェンの発展でもわかるとおり、非常に興味深い物性を有しており、幅広い応用が検討されている材料です。今回取り上げる対象は、カーボンナノチューブ（CNT）、グラフェン、DLC、ダイヤモンドです。本基礎講座では、これらカーボン系材料について、その基礎物性の研究の現状から課題、応用へ向けた取り組みまで、それぞれの専門の講師の方々に解説していただくことを目的としています。カーボン系材料の、研究の進展と課題、応用例について概観できる良い機会であると思います。多くの方々の参加をお待ちしております。
11月5日(木)
10:00-11:30 グラフェン及びCNT研究の現状と課題
安藤恒也（東工大）
11:30-12:30 CNTを中心としたナノデバイス
石橋幸治（理研）
12:30-13:30 昼 食
13:30-14:30 CNT固体とプロセス技術
畠 賢治（産総研）
14:30-15:30 グラフェン／C60分子ベアリングの超潤滑
三浦浩治（愛教大）
15:30-16:00 休 憩
16:00-17:00 グラフェン・オン・シリコン材料・デバイス技術
尾辻泰一（東北大）
11月6日(金)
10:00-11:00 DLC研究の現状と課題
大花継頼（産総研）
11:00-12:00 DLCコーティングの適用技術
加納 眞（神奈川県産業技術ｾﾝﾀｰ）
12:00-13:00 昼 食
13:00-14:00 ダイヤモンド研究の現状と課題
川原田 洋（早大）
14:00-15:00 高品質ダイヤモンドのエピタキシャル成長とデバイス応用
寺地徳之（NIMS）
15:00-15:30 休 憩
15:30-16:30 ダイヤモンド高周波電力デバイスの現状と課題
嘉数
誠（NTT）
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参加費
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テキスト代、消費税含む
協賛学協会会員：20,000円、学生10,000円、その他：25,000円
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参加申込方法
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下記分科会ホームページ内の登録フォームにて参加登録をして下さい。
分科会HP： http://annex.jsap.or.jp/tfspd/
参加登録完了後、下記銀行口座に参加費をご連絡いただいた期日までにお振込ください。原則として参加費の払い戻し、請求書の発行は致しません。
※領収書は当日受付にてお渡しいたします。
参加費振込先
三井住友銀行 本店営業部（本店も可）
普通預金 9474715
(社)応用物理学会 薄膜・表面物理分科会
(ｼｬ)ｵｳﾖｳﾌﾞﾂﾘｶﾞｯｶｲﾊｸﾏｸ・ﾋｮｳﾒﾝﾌﾞﾂﾘﾌﾞﾝｶｶｲ
参加申込締切：2009年10月28日(水)
参加費振込期限：2009年10月30日（金）
＊参加費の入金確認後、参加証をお送りいたします。
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連絡先
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内容問合せ先
三宅晃司 （独）産業技術総合研究所
TEL：029-861-7881 FAX：029-861-7092
E-mail：koji-miyake@#-NO-SPAM-#aist.go.jp
中村雅一 千葉大学
E-mail：nakamura@#-NO-SPAM-#faculty.chiba-u.jp
渡邉孝信 早稲田大学
E-mail：watanabe-t@#-NO-SPAM-#waseda.jp
参加問合せ先
〒102-0073 東京都千代田区九段北
1-12-3
井門九段北ビル5Ｆ
応用物理学会 分科会担当 伊丹
TEL：03-3238-1043 FAX：03-3221-6245
E-mail：divisions@#-NO-SPAM-#jsap.or.jp
（メールアドレスは「#-NO-SPAM-#」を削除してご利用ください）
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その他
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