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半導体デバイスにおいて、ゲートスタックの高性能化は最も重要な研究課題の一つです。ゲート絶縁膜では、原子層レベルで膜厚や構造を制御した高品質な極薄酸窒化膜の開発や、トランジスタの高性能化と超低消費電力化を可能にする高誘電率ゲート絶縁膜の研究・開発が進められています。また歪シリコン基板やプロセス歪を利用した高移動度トランジスタや、メタルゲート電極の検討も活発に行なわれています。本研究会は、2004年まで9回にわたって開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会のスコープを広げて2005年から新たにスタートしたものであり、産･独･学の第一線の研究者が基礎から応用までを理論と実験の両面から議論し、本分野の発展に貢献することを目的としています。国内外からの招待講演者のほかに、一般の口頭発表とポスター発表を広く募集して開催します。
セッショントピックスおよび招待講演者（敬称略）：
(1)
基調講演（IWDTF-2011と合同開催）
松波 弘之（JST京都）
「Technological challenges in SiC MOS
devices」
G. Bersuker（SEMATEC）
「Changing paradigm for advanced gate stack evaluation:
Reliability modeling at atomic structure level」
(2) 高誘電率ゲート絶縁膜
細井 卓治（大阪大学）
「High-k/Metalゲートスタックにおける酸素空孔形成要因と実効仕事関数変調機構」
(3) 信頼性・ゆらぎ
江利口 浩二（京都大学）
「物理的プラズマダメージによるMOSFETオフリーク電流とそのバラツキの増大モデル」
由上 二郎（ルネサスエレクトロニクス）
「"ゲートファースト" メタルゲート/high-k CMOSプロセスの展望」
(4) 形成・評価・基礎物性
小野 倫也（大阪大学）
「第一原理計算によるSi及びGe MOS界面原子構造とリーク電流特性の予測」
池田 稔（富士通研究所）
「結晶HfO2中の酸素欠陥準位の高精度バンド計算法による理論計算」
(5) 高移動度化技術・新構造ゲートスタック
西村 知紀（東京大学）
「high-k/Ge MOSFETにおける移動度特性の向上」
(6) 新分野
染谷 隆夫（東京大学）
「フレキシブルトランジスタとメモリのための極薄ゲート絶縁膜技術」
（7）メモリ技術
竹内 健（東京大学）
「強誘電体FETを用いた低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM技術」
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