電子ビームイオントラップ(EBIT)からイオンを引き出し、価数選別して標的サンプルまで導くためのビームラインの模式図。主に、静電レンズ系と静電偏向器(Electrostatic Bender)、及び質量分析磁石(Analyzing Magnet)から成る。下の図は、Xe44＋ をグラファイト(HOPG)結晶に低速(〜4×105m/s)で衝突させた後、走査型トンネル顕微鏡によって観察した像の鳥瞰図。表面上にできたナノ(10−9 m)スケールの隆起構造は、それぞれ1個のXe44＋ イオンが入射した痕である。詳細は本号掲載の加藤太治氏、大谷俊介氏共著の解説記事参照。（アルバック・ファイ株式会社 清水 宏氏提供）